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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › PMPB12UN,115
PMPB12UN,115

PMPB12UN,115 - NXP USA Inc.

品番
PMPB12UN,115
メーカー
NXP USA Inc.
簡単な説明
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
PMPB12UN,115 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3531 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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PMPB12UN,115 詳細な説明

品番 PMPB12UN,115
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 7.9A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 1.8V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 13nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 886pF @ 10V
Vgs（最大） ±8V
FET機能 -
消費電力（最大） 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 18 mOhm @ 7.9A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 6-DFN2020MD (2x2)
パッケージ/ケース 6-UDFN Exposed Pad
重量 -
原産国 -

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