品番 | PMPB12UN,115 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 7.9A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 1.8V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 13nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 886pF @ 10V |
Vgs(最大) | ±8V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 18 mOhm @ 7.9A, 4.5V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-DFN2020MD (2x2) |
パッケージ/ケース | 6-UDFN Exposed Pad |
重量 | - |
原産国 | - |