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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › PMPB11EN,115
PMPB11EN,115

PMPB11EN,115 - Nexperia USA Inc.

品番
PMPB11EN,115
メーカー
Nexperia USA Inc.
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
PMPB11EN,115 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
PMPB11EN,115.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
80478 pcs
参考価格
USD 0.3158/pcs
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PMPB11EN,115 詳細な説明

品番 PMPB11EN,115
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 20.6nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 840pF @ 10V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 14.5 mOhm @ 9A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 6-DFN2020MD (2x2)
パッケージ/ケース 6-UDFN Exposed Pad
重量 -
原産国 -

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