| 品番 | PMPB100XPEAX |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 4.5V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 122 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.25V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Vgs（最大） | +8V, -10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 388pF @ 10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 550mW (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-DFN2020MD (2x2) |
| パッケージ/ケース | 6-UDFN Exposed Pad |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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PMPB100ENEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220 | 詳細 |
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PMPB100ENEX | Nexperia USA Inc. | PMPB100ENE/SOT1220/SOT1220 | 詳細 |
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PMPB100XPEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD | 詳細 |
.jpg "PMPB10XNE,115") |
PMPB10XNE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN | 詳細 |
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PMPB10XNEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220 | 詳細 |
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PMPB10XNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT1220 | 詳細 |
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PMPB11EN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN | 詳細 |
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PMPB12UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN | 詳細 |
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PMPB12UNEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB12UNEA/SOT1220/SOT1220 | 詳細 |
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PMPB12UNEX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT1220 | 詳細 |
