PMPB100XPEAX - Nexperia USA Inc.

Numero di parte	PMPB100XPEAX
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	122 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	+8V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	388pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	550mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-DFN2020MD (2x2)
Pacchetto / caso	6-UDFN Exposed Pad
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
PMPB100ENEAX	Nexperia USA Inc.	PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220	Dettagli
PMPB100ENEX	Nexperia USA Inc.	PMPB100ENE/SOT1220/SOT1220	Dettagli
PMPB100XPEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD	Dettagli
PMPB10XNE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN	Dettagli
PMPB10XNEAX	Nexperia USA Inc.	PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220	Dettagli
PMPB10XNEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V SOT1220	Dettagli
PMPB11EN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN	Dettagli
PMPB12UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN	Dettagli
PMPB12UNEAX	Nexperia USA Inc.	PMPB12UNEA/SOT1220/SOT1220	Dettagli
PMPB12UNEX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V SOT1220	Dettagli