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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › PMPB10XNEAX
PMPB10XNEAX

PMPB10XNEAX - Nexperia USA Inc.

Numero di parte
PMPB10XNEAX
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
PMPB10XNEAX Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
810645 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.20311/pcs
Il nostro prezzo
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PMPB10XNEAX Descrizione dettagliata

Numero di parte PMPB10XNEAX
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 0.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2.175nF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DFN2020MD-6
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad
Peso -
Paese d'origine -

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