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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › PMPB12UN,115
PMPB12UN,115

PMPB12UN,115 - NXP USA Inc.

부품 번호
PMPB12UN,115
제조사
NXP USA Inc.
간단한 설명
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
3546 pcs
참고 가격
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PMPB12UN,115 상세 설명

부품 번호 PMPB12UN,115
부품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 886pF @ 10V
Vgs (최대) ±8V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 7.9A, 4.5V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 6-DFN2020MD (2x2)
패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad
무게 -
원산지 -

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