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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › PMPB12UNEAX
PMPB12UNEAX

PMPB12UNEAX - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer
PMPB12UNEAX
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Kurze Beschreibung
PMPB12UNEA/SOT1220/SOT1220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
PMPB12UNEAX PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
754410 pcs
Referenzpreis
USD 0.21825/pcs
Unser Preis
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PMPB12UNEAX detaillierte Beschreibung

Artikelnummer PMPB12UNEAX
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 0.9V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Vgs (Max) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1.22nF @ 10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.6W (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN2020MD-6
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Gewicht -
Ursprungsland -

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