| Artikelnummer | PMPB12UNEAX |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.9A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 7.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 0.9V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1.22nF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.6W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DFN2020MD-6 |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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PMPB100ENEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220 | Einzelheiten |
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PMPB100ENEX | Nexperia USA Inc. | PMPB100ENE/SOT1220/SOT1220 | Einzelheiten |
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PMPB100XPEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD | Einzelheiten |
.jpg "PMPB10XNE,115") |
PMPB10XNE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN | Einzelheiten |
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PMPB10XNEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220 | Einzelheiten |
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PMPB10XNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT1220 | Einzelheiten |
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PMPB11EN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN | Einzelheiten |
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PMPB12UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN | Einzelheiten |
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PMPB12UNEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB12UNEA/SOT1220/SOT1220 | Einzelheiten |
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PMPB12UNEX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT1220 | Einzelheiten |
