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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays › EPC2108ENGRT
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT - EPC

Artikelnummer
EPC2108ENGRT
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
EPC2108ENGRT PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
6250 pcs
Referenzpreis
USD 0.8762/pcs
Unser Preis
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EPC2108ENGRT detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EPC2108ENGRT
Teilstatus Active
FET Typ 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-Eigenschaft GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V, 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.7A, 500mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Leistung max -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 9-VFBGA
Lieferantengerätepaket 9-BGA (1.35x1.35)
Gewicht -
Ursprungsland -

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