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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Arreglos › EPC2108ENGRT
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT - EPC

Número de pieza
EPC2108ENGRT
Fabricante
EPC
Breve descripción
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
EPC2108ENGRT Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
6250 pcs
Precio de referencia
USD 0.8762/pcs
Nuestro precio
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EPC2108ENGRT Descripción detallada

Número de pieza EPC2108ENGRT
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Característica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V, 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Potencia - Max -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 9-VFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor 9-BGA (1.35x1.35)
Peso -
País de origen -

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