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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › EPC2108ENGRT
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT - EPC

品番
EPC2108ENGRT
メーカー
EPC
簡単な説明
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
EPC2108ENGRT PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
6250 pcs
参考価格
USD 0.8762/pcs
私達の価格
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EPC2108ENGRT 詳細な説明

品番 EPC2108ENGRT
部品ステータス Active
FETタイプ 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET機能 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V, 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.7A, 500mA
Rds On（Max）@ Id、Vgs 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
電力 - 最大 -
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 9-VFBGA
サプライヤデバイスパッケージ 9-BGA (1.35x1.35)
重量 -
原産国 -

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