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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › EPC2108ENGRT
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT - EPC

Numero di parte
EPC2108ENGRT
fabbricante
EPC
Breve descrizione
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
EPC2108ENGRT Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
6250 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.8762/pcs
Il nostro prezzo
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EPC2108ENGRT Descrizione dettagliata

Numero di parte EPC2108ENGRT
Stato parte Active
Tipo FET 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Caratteristica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V, 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Potenza - Max -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 9-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 9-BGA (1.35x1.35)
Peso -
Paese d'origine -

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