EPC2108ENGRT - EPC

Numéro d'article	EPC2108ENGRT
État de la pièce	Active
FET Type	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET Caractéristique	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V, 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Puissance - Max	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	9-VFBGA
Package de périphérique fournisseur	9-BGA (1.35x1.35)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
EPC2001	EPC	TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE	Détails
EPC2001C	EPC	TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE	Détails
EPC2007	EPC	TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE	Détails
EPC2007C	EPC	TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE	Détails
EPC2010	EPC	TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE	Détails
EPC2010C	EPC	TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE	Détails
EPC2010CENGR	EPC	TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE	Détails
EPC2012	EPC	TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE	Détails
EPC2012C	EPC	TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE	Détails
EPC2012CENGR	EPC	TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE	Détails