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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › EPC2012
EPC2012

EPC2012 - EPC

Artikelnummer
EPC2012
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
EPC2012 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
EPC2012.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
10000 pcs
Referenzpreis
USD 1.1803/pcs
Unser Preis
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EPC2012 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EPC2012
Teilstatus Last Time Buy
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 145pF @ 100V
Vgs (Max) +6V, -5V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3A, 5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die
Paket / Fall Die
Gewicht -
Ursprungsland -

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