| Artikelnummer | EPC2012 |
|---|---|
| Teilstatus | Last Time Buy |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 145pF @ 100V |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 3A, 5V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Paket / Fall | Die |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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