EPC2012

EPC2012 - EPC

номер части
EPC2012
производитель
EPC
Краткое описание
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
EPC2012 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
EPC2012.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
10000 pcs
Справочная цена
USD 1.1803/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку EPC2012

EPC2012 Подробное описание

номер части EPC2012
Статус детали Last Time Buy
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.8nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 145pF @ 100V
Vgs (Макс.) +6V, -5V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) -
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3A, 5V
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика Die
Упаковка / чехол Die
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ EPC2012