EPC2010C

EPC2010C - EPC

Artikelnummer
EPC2010C
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
30000 pcs
Referenzpreis
USD 4.1085/pcs
Unser Preis
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EPC2010C detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EPC2010C
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 22A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.3nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 100V
Vgs (Max) +6V, -4V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 12A, 5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die Outline (7-Solder Bar)
Paket / Fall Die
Gewicht -
Ursprungsland -

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