MJD32C-13 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
MJD32C-13 |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
PNP |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
3A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
100V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
1.2V @ 375mA, 3A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
1µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
10 @ 3A, 4V |
Leistung max |
1.56W |
Frequenz - Übergang |
3MHz |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Lieferantengerätepaket |
TO-252, (D-Pak) |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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