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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli › MJD32C-13
MJD32C-13

MJD32C-13 - Diodes Incorporated

Numero di parte
MJD32C-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
TRANS PNP 100V 3A TO252-3L
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
MJD32C-13 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
262500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.2302/pcs
Il nostro prezzo
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MJD32C-13 Descrizione dettagliata

Numero di parte MJD32C-13
Stato parte Active
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Corrente - Limite del collettore (max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Potenza - Max 1.56W
Frequenza - Transizione 3MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak)
Peso -
Paese d'origine -

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