TPS1101DRG4

TPS1101DRG4 - Texas Instruments

номер части
TPS1101DRG4
производитель
Texas Instruments
Краткое описание
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
TPS1101DRG4 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
25000 pcs
Справочная цена
USD 0.9926/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку TPS1101DRG4

TPS1101DRG4 Подробное описание

номер части TPS1101DRG4
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 15V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.3A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 2.7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11.25nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds -
Vgs (Макс.) +2V, -15V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 791mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.5A, 10V
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SOIC
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ TPS1101DRG4