TPS1101DRG4

TPS1101DRG4 - Texas Instruments

Artikelnummer
TPS1101DRG4
Hersteller
Texas Instruments
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
25000 pcs
Referenzpreis
USD 0.9926/pcs
Unser Preis
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TPS1101DRG4 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TPS1101DRG4
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 15V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11.25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) +2V, -15V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 791mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.5A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht -
Ursprungsland -

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