TPS1101DRG4 - Texas Instruments

Numéro d'article	TPS1101DRG4
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	15V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	2.3A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	11.25nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	+2V, -15V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	791mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.5A, 10V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SOIC
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TPS1001	MOT	TPS1001 MOT NULL New Original Stocks	Détails
TPS1002	MOT	TPS1002 MOT SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
TPS1100D	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC	Détails
TPS1100DG4	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC	Détails
TPS1100DR	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC	Détails
TPS1100DRG4	TI	TPS1100DRG4 TI SOP-8 New Original Stocks	Détails
TPS1100PW	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP	Détails
TPS1100PWR	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP	Détails
TPS1101D	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC	Détails
TPS1101DG4	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC	Détails