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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › TPS1101DRG4
TPS1101DRG4

TPS1101DRG4 - Texas Instruments

부품 번호
TPS1101DRG4
제조사
Texas Instruments
간단한 설명
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
TPS1101DRG4 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
25000 pcs
참고 가격
USD 0.9926/pcs
우리의 가격
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TPS1101DRG4 상세 설명

부품 번호 TPS1101DRG4
부품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 15V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.7V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 11.25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds -
Vgs (최대) +2V, -15V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 791mW (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.5A, 10V
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 8-SOIC
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
무게 -
원산지 -

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