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TPS1101DRG4 - Texas Instruments

品番: TPS1101DRG4
メーカー: Texas Instruments
簡単な説明: MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: TPS1101DRG4 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 25000 pcs
参考価格: USD 0.9926/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

TPS1101DRG4 詳細な説明

品番	TPS1101DRG4
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	15V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	2.3A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	2.7V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	1.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	11.25nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	-
Vgs（最大）	+2V, -15V
FET機能	-
消費電力（最大）	791mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	90 mOhm @ 2.5A, 10V
動作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOIC
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量	-
原産国	-

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