TPS1100DR

TPS1100DR - Texas Instruments

品番
TPS1100DR
メーカー
Texas Instruments
簡単な説明
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
25000 pcs
参考価格
USD 0.6622/pcs
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TPS1100DR 詳細な説明

品番 TPS1100DR
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 15V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.6A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 2.7V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 5.45nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) +2V, -15V
FET機能 -
消費電力(最大) 791mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 -
原産国 -

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