TPS1100DR - Texas Instruments

Numéro d'article	TPS1100DR
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	15V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1.6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.45nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	+2V, -15V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	791mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 1.5A, 10V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SOIC
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TPS-1	Eaton	FUSE CARTRIDGE 1A 170VDC NON STD	Détails
TPS-10	Eaton	FUSE CRTRDGE 10A 170VDC NON STD	Détails
TPS-10L	Eaton	FUSE CRTRDGE 10A 170VDC CYLINDR	Détails
TPS-15	Eaton	FUSE CRTRDGE 15A 170VDC NON STD	Détails
TPS-15L	Eaton	FUSE CRTRDGE 15A 170VDC CYLINDR	Détails
TPS-1L	Eaton	FUSE CARTRIDGE 1A 170VDC CYLINDR	Détails
TPS-1LB	Eaton	FUSE CARTRIDGE 1A 170VDC CYLINDR	Détails
TPS-2	Eaton	FUSE CARTRIDGE 2A 170VDC NON STD	Détails
TPS-20	Eaton	FUSE CRTRDGE 20A 170VDC NON STD	Détails
TPS-20L	Eaton	FUSE CRTRDGE 20A 170VDC CYLINDR	Détails