| номер части | TPS1101DG4 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 15V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 2.7V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11.25nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | - |
| Vgs (Макс.) | +2V, -15V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 791mW (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC |
| Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
TPS1001 | MOT | TPS1001 MOT NULL New Original Stocks | подробности |
|
TPS1002 | MOT | TPS1002 MOT SMD or Through Hole New Original Stocks | подробности |
|
TPS1100D | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | подробности |
|
TPS1100DG4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | подробности |
|
TPS1100DR | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | подробности |
|
TPS1100DRG4 | TI | TPS1100DRG4 TI SOP-8 New Original Stocks | подробности |
 |
TPS1100PW | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | подробности |
|
TPS1100PWR | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | подробности |
|
TPS1101D | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | подробности |
|
TPS1101DG4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | подробности |
