TSM085P03CV RGG - Taiwan Semiconductor Corporation

номер части	TSM085P03CV RGG
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	55nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	3234pF @ 15V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	50W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-PDFN (3x3)
Упаковка / чехол	8-PowerWDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TSM080N03EPQ56 RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN	подробности
TSM080N03PQ56 RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 30V 73A 8PDFN	подробности
TSM085N03PQ33 RGG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN	подробности
TSM085P03CS RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CHANNEL 30V 34A 8SOP	подробности
TSM085P03CV RGG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN	подробности
TSM088NA03CR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN	подробности
TSM089N08LCR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN	подробности