TSM085P03CV RGG - Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza: TSM085P03CV RGG
Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descripción: MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	TSM085P03CV RGG
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3234pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-PDFN (3x3)
Paquete / caja	8-PowerWDFN
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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