TSM085P03CV RGG - Taiwan Semiconductor Corporation

品番	TSM085P03CV RGG
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	8.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	55nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	3234pF @ 15V
FET機能	-
消費電力（最大）	50W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	8-PDFN (3x3)
パッケージ/ケース	8-PowerWDFN
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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