TSM085P03CV RGG - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer	TSM085P03CV RGG
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3234pF @ 15V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-PDFN (3x3)
Paket / Fall	8-PowerWDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TSM080N03EPQ56 RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN	Einzelheiten
TSM080N03PQ56 RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 30V 73A 8PDFN	Einzelheiten
TSM085N03PQ33 RGG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN	Einzelheiten
TSM085P03CS RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CHANNEL 30V 34A 8SOP	Einzelheiten
TSM085P03CV RGG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN	Einzelheiten
TSM088NA03CR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN	Einzelheiten
TSM089N08LCR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN	Einzelheiten