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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › TSM085P03CV RGG
TSM085P03CV RGG

TSM085P03CV RGG - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte
TSM085P03CV RGG
fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
TSM085P03CV RGG Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
696312 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.23646/pcs
Il nostro prezzo
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TSM085P03CV RGG Descrizione dettagliata

Numero di parte TSM085P03CV RGG
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3234pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDFN (3x3)
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Peso -
Paese d'origine -

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