TSM089N08LCR RLG - Taiwan Semiconductor Corporation

номер части	TSM089N08LCR RLG
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	80V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	67A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	8.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	90nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	6119pF @ 40V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	83W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-PDFN (5x6)
Упаковка / чехол	8-PowerTDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	TSM089N08LCR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN	подробности