| номер части | R8010ANX |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 800V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1750pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±30V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 40W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 5A, 10V |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | TO-220FM |
| Упаковка / чехол | TO-220-2 Full Pack |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
R8002ANJFRGTL | Rohm Semiconductor | R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W | подробности |
|
R8002ANX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM | подробности |
|
R8005ANJFRGTL | Rohm Semiconductor | R8005ANJ FRG IS A POWER MOSFET W | подробности |
|
R8005ANX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 5A TO220 | подробности |
|
R8008ANJFRGTL | Rohm Semiconductor | R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W | подробности |
|
R8008ANX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM | подробности |
 |
R800CHX | EXSHINE | DISTRIBUTED GATE THYRISTORS | подробности |
|
R8010ANX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 10A TO220 | подробности |
|
R80186 | INTEL | R80186 INTEL PGA New Original Stocks | подробности |
|
R80186-10 | INTEL | R80186-10 INTEL BGA New Original Stocks | подробности |
