| Numero di parte | R8010ANX |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1750pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FM |
| Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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R8002ANJFRGTL | Rohm Semiconductor | R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W | Dettagli |
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R8002ANX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM | Dettagli |
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R8005ANJFRGTL | Rohm Semiconductor | R8005ANJ FRG IS A POWER MOSFET W | Dettagli |
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R8005ANX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 5A TO220 | Dettagli |
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R8008ANJFRGTL | Rohm Semiconductor | R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W | Dettagli |
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R8008ANX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM | Dettagli |
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R800CHX | EXSHINE | DISTRIBUTED GATE THYRISTORS | Dettagli |
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R8010ANX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 10A TO220 | Dettagli |
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R80186 | INTEL | R80186 INTEL PGA New Original Stocks | Dettagli |
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R80186-10 | INTEL | R80186-10 INTEL BGA New Original Stocks | Dettagli |
