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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › R8010ANX
R8010ANX

R8010ANX - Rohm Semiconductor

品番
R8010ANX
メーカー
Rohm Semiconductor
簡単な説明
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
R8010ANX PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
R8010ANX.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
662 pcs
参考価格
USD 3.35/pcs
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R8010ANX 詳細な説明

品番 R8010ANX
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 800V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 62nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1750pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 40W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 560 mOhm @ 5A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220FM
パッケージ/ケース TO-220-2 Full Pack
重量 -
原産国 -

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