• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › R8002ANX
R8002ANX

R8002ANX - Rohm Semiconductor

品番
R8002ANX
メーカー
Rohm Semiconductor
簡単な説明
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
R8002ANX PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
R8002ANX.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
2337 pcs
参考価格
USD 2.6/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください R8002ANX

R8002ANX 詳細な説明

品番 R8002ANX
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 800V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 12.7nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 210pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 35W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 4.3 Ohm @ 1A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220FM
パッケージ/ケース TO-220-2 Full Pack
重量 -
原産国 -

関連製品 R8002ANX

画像 品番 メーカー 説明 見る
R8002ANJFRGTL R8002ANJFRGTL Rohm Semiconductor R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W 詳細
R8002ANX R8002ANX Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM 詳細
R8005ANJFRGTL R8005ANJFRGTL Rohm Semiconductor R8005ANJ FRG IS A POWER MOSFET W 詳細
R8005ANX R8005ANX Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 800V 5A TO220 詳細
R8008ANJFRGTL R8008ANJFRGTL Rohm Semiconductor R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W 詳細
R8008ANX R8008ANX Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM 詳細
R800CHX R800CHX EXSHINE DISTRIBUTED GATE THYRISTORS 詳細
R8010ANX R8010ANX Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 800V 10A TO220 詳細
R80186 R80186 INTEL R80186 INTEL PGA New Original Stocks 詳細
R80186-10 R80186-10 INTEL R80186-10 INTEL BGA New Original Stocks 詳細