R8008ANJFRGTL - Rohm Semiconductor

品番	R8008ANJFRGTL
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	800V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.03 Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	38nC @ 10V
Vgs（最大）	±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1100pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	195W (Tc)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	LPTS
パッケージ/ケース	SC-83
重量	-
原産国	-

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	R8008ANX	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM	詳細