R8008ANJFRGTL - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	R8008ANJFRGTL
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1.03 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	195W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	LPTS
Paket / Fall	SC-83
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	R8008ANJFRGTL	Rohm Semiconductor	R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W	Einzelheiten
	R8008ANX	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM	Einzelheiten