R8008ANJFRGTL - Rohm Semiconductor

Numero di parte	R8008ANJFRGTL
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.03 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	195W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	LPTS
Pacchetto / caso	SC-83
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	R8008ANJFRGTL	Rohm Semiconductor	R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W	Dettagli
	R8008ANX	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM	Dettagli