R8008ANJFRGTL - Rohm Semiconductor

номер части	R8008ANJFRGTL
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	800V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1.03 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±30V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1100pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	195W (Tc)
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	LPTS
Упаковка / чехол	SC-83
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	R8008ANJFRGTL	Rohm Semiconductor	R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W	подробности
	R8008ANX	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM	подробности