R8008ANX - Rohm Semiconductor

номер части	R8008ANX
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	800V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	39nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1080pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	50W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1.03 Ohm @ 4A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220FM
Упаковка / чехол	TO-220-2 Full Pack
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
R8002ANJFRGTL	Rohm Semiconductor	R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W	подробности
R8002ANX	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM	подробности
R8005ANJFRGTL	Rohm Semiconductor	R8005ANJ FRG IS A POWER MOSFET W	подробности
R8005ANX	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 5A TO220	подробности
R8008ANJFRGTL	Rohm Semiconductor	R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W	подробности
R8008ANX	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM	подробности
R800CHX	EXSHINE	DISTRIBUTED GATE THYRISTORS	подробности
R8010ANX	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO220	подробности
R80186	INTEL	R80186 INTEL PGA New Original Stocks	подробности
R80186-10	INTEL	R80186-10 INTEL BGA New Original Stocks	подробности