R8002ANX - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	R8002ANX
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	12.7nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	210pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 Ohm @ 1A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220FM
Paquet / cas	TO-220-2 Full Pack
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
R8002ANJFRGTL	Rohm Semiconductor	R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W	Détails
R8002ANX	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM	Détails
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