R8002ANJFRGTL Description détaillée
Numéro d'article |
R8002ANJFRGTL |
État de la pièce |
Active |
FET Type |
N-Channel |
La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) |
800V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
2A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
4.3 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
5V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
13nC @ 10V |
Vgs (Max) |
±30V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
250pF @ 25V |
FET Caractéristique |
- |
Dissipation de puissance (Max) |
62W (Tc) |
Température de fonctionnement |
150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur |
LPTS |
Paquet / cas |
SC-83 |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
PRODUITS CONNEXES POUR R8002ANJFRGTL