APT200GN60B2G - Microsemi Corporation

номер части	APT200GN60B2G
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench Field Stop
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	283A
Текущий - коллектор импульсный (Icm)	600A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	1.85V @ 15V, 200A
Мощность - макс.	682W
Энергия переключения	13mJ (on), 11mJ (off)
Тип ввода	Standard
Ворота затвора	1180nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C	50ns/560ns
Условия тестирования	400V, 200A, 1 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr)	-
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-247-3
Пакет устройств поставщика	-
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APT200GN60B2G	Microsemi Corporation	IGBT 600V 283A 682W TO247	подробности
APT200GN60J	Microsemi Corporation	IGBT 600V 283A 682W SOT227	подробности
APT200GN60JDQ4	Microsemi Corporation	IGBT 600V 283A 682W SOT227	подробности
APT200GN60JDQ4G	Microsemi Corporation	IGBT 600V 283A 682W SOT227	подробности
APT200GN60JG	Microsemi Corporation	IGBT 600V 283A 682W SOT227	подробности
APT200GT60JR	Microsemi Corporation	IGBT 600V 195A ISOTOP	подробности
APT200GT60JRDQ4	MICROSEMI	APT200GT60JRDQ4 MICROSEMI Standa.. New Original Stocks	подробности
APT2012-ME22	kingbright	APT2012-ME22 kingbright SMD New Original Stocks	подробности
APT2012CGCK	KINGBRIGHT	2.0x1.25mm SMD CHIP LED LAMP	подробности
APT2012EC	KINGBRIGHT	2.0x1.25mm SMD CHIP LED LAMP	подробности