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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › APT200GN60B2G
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APT200GN60B2G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT 600V 283A 682W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APT200GN60B2G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
150 pcs
Prix ​​de référence
USD 23.88/pcs
Notre prix
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APT200GN60B2G Description détaillée

Numéro d'article APT200GN60B2G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 283A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 600A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 200A
Puissance - Max 682W
Échange d'énergie 13mJ (on), 11mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 1180nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 50ns/560ns
Condition de test 400V, 200A, 1 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

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Image Numéro d'article Les fabricants La description Vue
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