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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - IGBT - 단일 › APT200GN60B2G
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G - Microsemi Corporation

부품 번호
APT200GN60B2G
제조사
Microsemi Corporation
간단한 설명
IGBT 600V 283A 682W TO247
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - IGBT - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
150 pcs
참고 가격
USD 23.88/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

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APT200GN60B2G 상세 설명

부품 번호 APT200GN60B2G
부품 상태 Active
IGBT 형 Trench Field Stop
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 283A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) 600A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 200A
전력 - 최대 682W
스위칭 에너지 13mJ (on), 11mJ (off)
입력 유형 Standard
게이트 차지 1180nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 50ns/560ns
시험 조건 400V, 200A, 1 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) -
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-247-3
공급 업체 장치 패키지 -
무게 -
원산지 -

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