| 品番 | APT200GN60B2G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 600V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 283A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | 600A |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 1.85V @ 15V, 200A |
| 電力 - 最大 | 682W |
| スイッチングエネルギー | 13mJ (on), 11mJ (off) |
| 入力方式 | Standard |
| ゲートチャージ | 1180nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 50ns/560ns |
| テスト条件 | 400V, 200A, 1 Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W TO247 | 詳細 |
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APT200GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | 詳細 |
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APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | 詳細 |
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APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | 詳細 |
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APT200GN60JG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | 詳細 |
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APT200GT60JR | Microsemi Corporation | IGBT 600V 195A ISOTOP | 詳細 |
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