| Numero di parte | APT200GN60B2G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 283A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 600A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 200A |
| Potenza - Max | 682W |
| Cambiare energia | 13mJ (on), 11mJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 1180nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 50ns/560ns |
| Condizione di test | 400V, 200A, 1 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W TO247 | Dettagli |
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APT200GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dettagli |
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APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dettagli |
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APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dettagli |
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APT200GN60JG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dettagli |
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APT200GT60JR | Microsemi Corporation | IGBT 600V 195A ISOTOP | Dettagli |
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