IXDI602SIA - IXYS Integrated Circuits Division

номер части	IXDI602SIA
Статус детали	Active
Управляемая конфигурация	Low-Side
Тип канала	Independent
Количество драйверов	2
Тип ворот	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Напряжение - Поставка	4.5 V ~ 35 V
Напряжение логики - VIL, VIH	0.8V, 3V
Текущий - пиковый выход (источник, раковина)	2A, 2A
Тип ввода	Inverting
Высокое боковое напряжение - макс (бутстрап)	-
Время нарастания / падения (Тип)	7.5ns, 6.5ns
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXDI402PI	IXYS	IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-DIP	подробности
IXDI402SI	IXYS	IC MOSFET DRIVER LS 2A 8SOIC	подробности
IXDI402SI-16	IXYS	IXDI402SI-16 IXYS SOP New Original Stocks	подробности
IXDI402SIA	IXYS	IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC	подробности
IXDI402SIA-16	IXYS	IXDI402SIA-16 IXYS SOP New Original Stocks	подробности
IXDI404PI	IXYS	IC MOSFET DRIVER LS 4A DUAL 8DIP	подробности
IXDI404SI	IXYS	IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 8-SOIC	подробности
IXDI404SI-16	IXYS	IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC	подробности
IXDI404SIA	IXYS	IC MOSFET DRVR DUAL 4A 8-SOIC	подробности
IXDI409CI	IXYS	IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5	подробности