IXDI602SIA - IXYS Integrated Circuits Division

品番	IXDI602SIA
部品ステータス	Active
駆動構成	Low-Side
チャネルタイプ	Independent
ドライバ数	2
ゲートタイプ	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電圧 - 供給	4.5 V ~ 35 V
ロジック電圧 - VIL、VIH	0.8V, 3V
電流 - ピーク出力（ソース、シンク）	2A, 2A
入力方式	Inverting
ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）	-
立ち上がり/立ち下がり時間（Typ）	7.5ns, 6.5ns
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOIC
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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