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Accueil › catégories de produits › Circuits intégrés (CI) › Durée de conservation › IXDI602SIA
IXDI602SIA

IXDI602SIA - IXYS Integrated Circuits Division

Numéro d'article
IXDI602SIA
Fabricant
IXYS Integrated Circuits Division
Brève description
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IXDI602SIA Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
IXDI602SIA.pdf
Catégorie
Durée de conservation
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2777 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.47/pcs
Notre prix
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IXDI602SIA Description détaillée

Numéro d'article IXDI602SIA
État de la pièce Active
Configuration pilotée Low-Side
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 4.5 V ~ 35 V
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 3V
Courant - sortie de crête (source, évier) 2A, 2A
Type d'entrée Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) -
Rise / Fall Time (Typ) 7.5ns, 6.5ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC
Poids -
Pays d'origine -

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